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永信贵宾会官网上海推出新型化合物半导体系列设备加强湿法工艺产物线

2022-1-27 13:17:43

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     永信贵宾会官网（以下简称永信贵宾会官网上海)（科创板股票代码：688082），一家为半导体前道和先进晶圆级封装（WLP）应用提供晶圆工艺解决方案的卓越设备供应商，今推出了支持化合物半导体制造的综合设备系列。公司的150-200 毫米兼容系统将前道集成电路湿法系列产物、后道先进晶圆级封装湿法系列产物进行拓展，可支持化合物半导体领域的应用，包罗砷化镓 (GaAs)、氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等工艺�；衔锇氲继迨üひ詹锵甙尥拷荷璞浮⑾杂吧璞浮⒐庾枞ソ荷璞浮⑹ㄊ纯躺璞浮⑶逑瓷璞负徒鹗舻缍粕璞�，并自动兼容平边或缺口晶圆。

    “随着差异市场的需求增长，化合物半导体行业正在迅猛生长。” 永信贵宾会官网上海董事长王晖博士体现，“通过对这个行业的调研，我们意识到，应利用现有的前道集成电路湿法和后道先进晶圆级封装湿法系列产物中重要的专业知识和技术，来提供满足化合物半导体技术要求的高性价比、高性能产物。我们认为，化合物半导体设备市场为永信贵宾会官网上海提供了重要的增长机会，因为 GaAs、GaN 和 SiC 器件正成为未来电动汽车、5G 通信系统和人工智能解决方案日益不行或缺的一部门。”

永信贵宾会官网上海的化合物半导体设备系列

Ultra C 碳化硅清洗设备：永信贵宾会官网上海的Ultra C碳化硅清洗设备接纳硫酸双氧水混合物 (SPM) 进行外貌氧化，并接纳氢氟酸 (HF) 去除残留物，进行碳化硅晶圆的清洗。该设备还集成永信贵宾会官网上海的SAPS 和 Megasonix™ 技术实现更全面更深条理的清洗。Ultra C 碳化硅清洗设备可提供卓越的清洁度，到达每片晶圆颗粒≤10ea0.3um，金属含量＜ 1E10atoms/cm3水平。该设备每小时可清洗凌驾 70 片晶圆，将于 2022 年下半年上市。

Ultra C 湿法刻蚀设备：可为砷化镓和磷化铟镓 (InGaP) 工艺提供＜2% 的均匀度，＜10% 的共面度及＜3% 的重复度。Ultra C 湿法刻蚀设备可提供卓越的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备将于 2022 年第三季度交付给某重要客户，并由其进行测试。

Ultra ECP GIII 1309 设备：永信贵宾会官网上海的Ultra ECP GIII 1309 设备集成了预湿和后清洗腔，支持用于铜、镍和锡银的铜柱和焊料，以及重漫衍层 (RDL) 和凸点下金属化 (UBM) 工艺。设备实现了晶圆内和模内小于3%的均匀度和小于2%的重复度。该设备已于 2021 年中交付给客户，并满足客户技术要求。

Ultra ECP GIII 1108 设备：Ultra ECP GIII 1108 设备提供金凸块、薄膜和深通孔工艺，集成预湿和后清洗腔。设备接纳永信贵宾会官网上海久经考验的栅板技术进行深孔电镀，以提高阶梯笼罩率。它可到达晶圆内和模内＜ 3%的均匀度和＜ 2%的重复度。腔体和工艺槽体经过专门设计，可制止金电镀液的氧化，且工艺槽体具有氮气吹扫功效，可减少氧化。该设备已于去年年底交货给要害客户。

Ultra C ct 涂胶设备：永信贵宾会官网上海的Ultra C ct涂胶设备接纳二次旋转涂胶技术，可实现均匀涂胶。设备拥有众多自研技术，包罗精确涂胶控制、自动清洗功效、冷热板�？橐约懊扛銮惶宓亩懒⒐炭刂乒π�。

Ultra C dv 显影设备：在化合物半导体工艺中，永信贵宾会官网上海的Ultra C dv 显影设备可进行曝光后烘烤、显影和硬烤的要害步骤。设备利用永信贵宾会官网上海的自研技术，可按要求实现+/-0.03 LPM的流量和 +/-0.5 摄氏度的温度控制。

Ultra C s刷洗设备：Ultra C s 刷洗设备以永信贵宾会官网上海先进的湿法清洗技术为基础，实现优秀的污染物去除效果。该设备通过氮气雾化二流体清洗或高压清洗实现高性能，以更有效地清洗小颗粒。此外，设备还可兼容永信贵宾会官网上海自创的兆声波清洗技术，以确保优良的颗粒去除效率（PRE），且不会损坏精细的图形结构。

Ultra C pr 湿法去胶设备：永信贵宾会官网上海的Ultra C pr湿法去胶设备利用槽式浸泡和单片工艺，确保高效地进行化合物半导体去胶。该设备最近由一家全球领先的整合元件制造商（IDM）订购，用于去除光刻胶，这进一步验证了永信贵宾会官网上海的技术优势。

Ultra SFP无应力抛光设备：Ultra SFP 为传统的化学机械抛光在硅通孔 (TSV) 工艺和扇出型晶圆级封装 (FOWLP)应用提供了一种环保替代方案。在 TSV 应用中，永信贵宾会官网上海的无应力抛光 (SFP) 系统可通过运用自研的电抛光技术去除低至 0.2µm 的铜笼罩层，再使用传统的 CMP 进一步去除剩余铜至阻挡层，并通过湿法刻蚀去除阻挡层，从而显著降低耗材成本。对于 FOWLP，相同的工艺可以克服由厚铜层应力引起的晶圆翘曲，并应用于RDL中铜笼罩层并平坦化 。


 
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